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MCR218-4FP

SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),8A I(T),TO-220

器件类别：模拟混合信号IC 触发装置

厂商名称：NXP(恩智浦)

厂商官网：https://www.nxp.com

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器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

NXP(恩智浦)

包装说明

Reach Compliance Code

unknow

标称电路换相断开时间

15 µs

最大直流栅极触发电流

25 mA

最大直流栅极触发电压

1.5 V

最大维持电流

30 mA

JESD-609代码

最大漏电流

2 mA

通态非重复峰值电流

80 A

最大通态电压

1.8 V

最大通态电流

8000 A

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-40 °C

断态重复峰值电压

200 V

表面贴装

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

触发设备类型

SCR

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参数对比

与MCR218-4FP相近的元器件有：。描述及对比如下：

型号	MCR218-4FP
描述	SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),8A I(T),TO-220
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	unknow
标称电路换相断开时间	15 µs
最大直流栅极触发电流	25 mA
最大直流栅极触发电压	1.5 V
最大维持电流	30 mA
JESD-609代码	e0
最大漏电流	2 mA
通态非重复峰值电流	80 A
最大通态电压	1.8 V
最大通态电流	8000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
断态重复峰值电压	200 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型	SCR

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