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MD51V65165-60TA

Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50

器件类别:存储    存储   

厂商名称:LAPIS Semiconductor Co Ltd

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP50,.46,32
针数
50
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G50
JESD-609代码
e0
长度
20.95 mm
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
50
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP50,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
参数对比
与MD51V65165-60TA相近的元器件有:MD51V65165-60JA、MD51V65165-50TA、MD51V65165-50JA。描述及对比如下:
型号 MD51V65165-60TA MD51V65165-60JA MD51V65165-50TA MD51V65165-50JA
描述 Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50 Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-50
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
零件包装代码 TSOP2 SOJ TSOP2 SOJ
包装说明 TSOP2, TSOP50,.46,32 SOJ, SOJ50,.44,32 TSOP2, TSOP50,.46,32 SOJ, SOJ50,.44,32
针数 50 50 50 50
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G50 R-PDSO-J50 R-PDSO-G50 R-PDSO-J50
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm 20.95 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bi
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM FAST PAGE DRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 50 50 50 50
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX16 4MX16 4MX16 4MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 SOJ TSOP2 SOJ
封装等效代码 TSOP50,.46,32 SOJ50,.44,32 TSOP50,.46,32 SOJ50,.44,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 3.85 mm 1.2 mm 3.85 mm
自我刷新 NO NO NO NO
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.12 mA 0.12 mA 0.14 mA 0.14 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING J BEND GULL WING J BEND
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
说是学生参与,主要还是看指导老师
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:08 编辑 感觉有一个NB的指导老师...
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