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MD56V72160C-75TA

描述:
Synchronous DRAM,
分类:
存储    存储   
制造商:
标准:
概述
Synchronous DRAM,
器件参数
参数名称
属性值
长度
22.22 mm
座面最大高度
1.2 mm
宽度
10.16 mm
封装代码
TSOP2
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装
YES
端子位置
DUAL
端子数量
54
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
端子节距
0.8 mm
封装形状
RECTANGULAR
端子形式
GULL WING
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
是否Rohs认证
Yes
Is Samacsys
N
YTEOL
4
Objectid
8316045680
包装说明
TSOP2,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
内存密度
134217728 bit
内存宽度
16
组织
8MX16
自我刷新
YES
技术
CMOS
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
功能数量
1
端口数量
1
字数代码
8000000
工作模式
SYNCHRONOUS
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
字数
8388608 words
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
温度等级
COMMERCIAL
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
热门器件
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
索引文件:
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