MG15Q6ES51

N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Toshiba(东芝)

厂商官网：http://toshiba-semicon-storage.com/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Toshiba(东芝)

包装说明

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17

针数

Reach Compliance Code

unknow

最大集电极电流 (IC)

25 A

集电极-发射极最大电压

1200 V

门极-发射极最大电压

20 V

JESD-30 代码

R-XUFM-X17

元件数量

端子数量

最高工作温度

125 °C

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

最大功率耗散 (Abs)

145 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

UNSPECIFIED

端子位置

UPPER

VCEsat-Max

3.2 V

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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