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MJD210T4

5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, TO-252, DPAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

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器件:MJD210T4

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
TO-252
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数
3
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
5 A
集电极-发射极最大电压
25 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
10
JEDEC-95代码
TO-252
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
PNP
功耗环境最大值
12.5 W
最大功率耗散 (Abs)
13 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
65 MHz
VCEsat-Max
1.8 V
Base Number Matches
1
参数对比
与MJD210T4相近的元器件有:MJD200T4。描述及对比如下:
型号 MJD210T4 MJD200T4
描述 5A, 25V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, TO-252, DPAK-3 5A, 25V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, TO-252, DPAK-3
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
零件包装代码 TO-252 TO-252
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 TO-252, DPAK-3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 PNP NPN
功耗环境最大值 12.5 W 12.5 W
最大功率耗散 (Abs) 13 W 13 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 65 MHz 65 MHz
VCEsat-Max 1.8 V 1.8 V
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