MJE
系列晶½管/MJE
SERIES TRANSISTORS
●特点：耐高压
开关速度快
安全工½区½
符合
RoHS
规范
MJE13003D
■
RoHS COMPLIANT
●
FEATURES：■HIGH
VOLTAGE CAPABILITY
■HIGH
SPEED SWITCHING
■WIDE
SOA
●应用：节½灯
电子镇流器
电子变压器
开关电源
●
APPLICATION:
■FLUORESCENT
LAMP
■ELECTRONIC
BALLAST
■ELECTRONIC
TRANSFORMER
■SWITCH
MODE POWER SUPPLY
●最大额定值（TC=25°C）
●Absolute
Maximum Ratings（Tc=25°C）
参数
PARAMETER
集电极-基极电压
Collector-Base Voltage
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
集电极电流
Collector Current
集电极耗散功率
Total Power Dissipation
最高工½温度
Junction Temperature
贮存温度
Storage Temperature
符号
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
额定值
VALUE
700
400
9
2
50
150
-65-150
TO-220
单½
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
●电特性（Tc=25°C）
●Electronic
Characteristics（Tc=25°C）
参数名称
CHARACTERISTICS
集电极-基极截止电流
Collector-Base Cutoff Current
集电极-发射极截止电流
Collector-Emitter Cutoff Current
集电极-发射极电压
Collector-Emitter Voltage
发射极-基极电压
Emitter- Base Voltage
集电极-发射极饱和电压
Collector-Emitter Saturation Voltage
发射极-基极饱和电压
Base-Emitter Saturation Voltage
电流放大倍数
DC Current Gain
贮存时间
Storage Time
下降时间
符号
SYMBOL
I
CBO
I
CEO
V
CEO
V
EBO
Vcesat
Vbesat
测试条件
TEST CONDITION
V
CB
=700V
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=1.0A,I
B
=0.25A
I
C
=1.5A,I
B
=0.5A
I
C
=0.5A,I
B
=0.1A
V
CE
=5V,I
C
=1mA
h
FE
V
CE
=5V,I
C
=0.5A
V
CE
=5V,I
C
=2A
t
S
t
f
Vf
V
CC
=5V,I
C
=0.25A
(UI9600 )
IF=2A
7
10
5
2.0
3.5
0.8
2.2
V
µs
40
400
9
0.5
0.6
1.2
最小值
MIN
最大值
MAX
100
250
单½
UNIT
μA
μA
V
V
V
V
Falling Time
内½二极管正向压降
Diode Forward Voltage
Si semiconductors
MJE
系列晶½管/MJE
SERIES TRANSISTORS
SOA (DC)
Ic(A)
MJE13003D
Pc∝Tj
%
120
100
10
1
80
60
40
I
S/B
0.1
Ptot
0.01
20
0
0.001
1
10
h
FE
- Ic
100
Vce(V)
1000
0
50
100
150
Tj(℃)
200
100
hFE
100
Tj=125℃
hFE
h
FE
- Ic
Tj=125℃
Tj=25℃
Tj=25℃
10
Tj=
−
40℃
10
Tj=
−
40℃
Vce=1.5V
Vce=5V
1
0.001
0.01
0.1
1
Ic(A)
10
1
0.001
0.01
0.1
1
Ic(A)
10
10
Vces(v)
h
FE
=5
Vcesat - Ic
1.8
1.6
Tj=25℃
Tj=125℃
Vbes(v)
Vbesat - Ic
h
FE
=5
1.4
1.2
1
Tj=
−
40℃
1
Tj=
−
40℃
0.8
Tj=25℃
0.1
0.6
0.4
0.2
0
0.1
1
Ic(A)
10
Tj=125℃
0.01
0.1
1
Ic(A)
10
Si semiconductors
TO-220 MECHANICAL DATA
单½：毫米/UNIT：mm
符号
SYMBOL
A
B
B1
b
φb1
c
D
D1
E
5.9
0.6
0.78
0.4
16.5
6.9
10.7
1.2
最小值
min
4.0
1.27
典型值
nom
最大值
max
4.8
1.8
1.8
符号
SYMBOL
e
F
L
L1
Q
Q1
Z
2.5
2.0
3.0
1.1
12.5
最小值
min
典型值
nom
2.54
1.4
14.5
3.5
3.1
2.8
最大值
max
Si semiconductors
