Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
MJE
系列晶½管
系列晶½管/MJE
SERIES TRANSISTORS
MJE13003
PARAMETER
-
Collector-Base Voltage
-
Collector-Emitter Voltage
-
Emitter- Base Voltage
Collector Current
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
VALUE
700
400
9
2.0
50
150
UNIT
V
V
V
A
W
°C
°C
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
-65-150
I
CEO
V
CEO
V
EBO
V
CE
=400V,I
B
=0
I
C
=10mA,I
B
=0
I
E
=1mA,I
C
=0
I
C
=0.5A,I
B
=0.1A
400
9
250
0.4
0.5
0.6
1.2
7
10
5
2.0
3.5
µS
1.0
40
V
V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Base-Emitter Saturation Voltage
Vcesat
I
C
=1.0A,I
B
=0.25A
I
C
=1.5A,I
B
=0.5A
Vbesat
I
C
=0.5A,I
B
=0.1A
V
CE
=5V,I
C
=1mA
DC Current Gain
h
FE
V
CE
=10V,I
C
=0.5A
V
CE
=5V,I
C
=2A
Storage Time
t
S
t
f
V
CC
=5V,I
C
=0.25A,
(UI9600)
Falling Time
Si semiconductors
2010.10
μ
μ
CHARACTERISTICS
-
Collector-Base Cutoff Current
-
Collector-Emitter Cutoff Current
-
Collector-Emitter Voltage
-
Emitter- Base Voltage
SYMBOL
I
CBO
TEST CONDITION
V
CB
=700V
MIN
MAX
100
UNIT
A
A
½单
½单
½单
½单
值大最
值大最
值大最
值大最
值小最
值小最
值小最
值小最
件条试测
件条试测
件条试测
件条试测
）
）
）
）
号符
号符
号符
号符
（
（
（
（
Tc=25°C
°
Electronic Characteristics
Tc=25°C
°
½单
½单
½单
½单
值定额
值定额
值定额
值定额
）
）
）
）
Absolute Maximum Ratings Tc=25°C
°
号符
号符
号符
号符
（
（
（
（
）
）
）
）
Tc=25°C
°
TO-220/TO-220S
■
APPLICATION
FLUORESCENT LAMP
ELECTRONIC BALLAST
■
FEATURES
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
HIGH SPEED SWITCHING
范规
范规
范规
范规
RoHS
：
：
●
●
■
■
：
：
●
●
器压变子电 器流镇子电 灯½节：用应●
器压变子电 器流镇子电 灯½节：用应●
器压变子电 器流镇子电 灯½节：用应●
器压变子电 器流镇子电 灯½节：用应●
：
：
●
●
■
■
：
：
●
●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
合符 ½区½工全安 快度速关开 压高耐：点特●
压电极基 极射发
压电极射发 极电集
流电止截极射发 极电集
流电止截极基 极电集
称名数参
称名数参
称名数参
称名数参
压电和饱极射发 极电集
压电和饱极基 极射发
W IDE SOA
■
RoHS COMPLIANT
ELECTRONIC TRANSFORMER
）
）
）
）
度温存贮
度温½工高最
率功散耗极电集
流电极电集
压电极基 极射发
压电极射发 极电集
压电极基 极电集
数参
数参
数参
数参
数倍大放流电
间时降下
间时存贮
●
●
●
●
（值定额大最●
（值定额大最●
（值定额大最●
（值定额大最●
●
●
●
●
（性特电●
（性特电●
（性特电●
（性特电●
TO-220
V
V
1
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
MJE
系列晶½管
系列晶½管/MJE
SERIES TRANSISTORS
MJE13003
Pc Tj
1
08
I
S/B
0.01
02
1
EFh
10
h
FE
- Ic
100
1000
001
h
FE
- Ic
Tj=125
Tj=25
Vce=1.5V
Tj=25
h
FE
=5
Tj=125
Tj=
−
40
Tj=25
Tj=125
Si semiconductors
2010.10
01
)A(cI
℃
℃
℃
℃
1
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
1.0
1
0
6.1
Tj=
−
40
)v(sebV
Vces - Ic
8.1
Vbes - Ic
h
FE
=5
01
)A(cI
1
1.0
10.0
1
01
Tj=
−
40
Tj=
−
40
Vce=5V
℃
℃
℃
℃
℃
Tj=25
℃
℃
℃
℃
Tj=125
002
)℃(jT
051
001
05
EFh
0
0
0.001
)V(ecV
06
0.1
04
021
10
Ptot
∝
∝
∝
∝
SOA (DC)
%
001
4.1
2.1
8.0
6.0
4.0
2.0
01
01
)A(cI
)A(cI
℃
℃
℃
℃
℃
1
℃
℃
℃
℃
1
1.0
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
℃
)v(secV
)A(cI
1.0
10.0
1
1
01
1.0
10.0
01
001
2
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
TO-220
封装机械尺寸
TO-220 MECHANICAL DATA
/UNIT mm
max
10.70
1.40
14.50
3.50
4.00
3.00
2.90
3.80
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
min
4.00
1.20
1.00
0.65
0.40
15.00
5.90
nom
max
4.80
1.40
1.30
1.00
0.55
16.50
6.90
SYMBOL
E
e
F
L
L1
Q
Q1
P
1.10
12.50
3.00
2.50
2.00
min
9.90
Si semiconductors
2010.10
值大最 值型典
值大最 值型典
值大最 值型典
值大最 值型典
： 米毫：½单
nom
2.54
值小最
值小最
值小最
值小最
号符
号符
号符
号符
φ
值大最
值大最
值大最
值大最
值型典
值型典
值型典
值型典
值小最
值小最
值小最
值小最
号符
号符
号符
号符
3
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.
Product Specification
TO-220S
封装机械尺寸
TO-220S MECHANICAL DATA
/UNIT mm
max
10.70
1.45
3.60
3.50
3.55
2.50
2.00
3.90
3.00
3.00
SYMBOL
A
B
B1
b1
c
D
D1
0.75
0.38
15.00
5.90
min
4.00
1.27
nom
max
4.80
1.50
1.40
1.00
0.60
16.5
6.60
SYMBOL
E
e
F
L
L1
φP
Q
Q1
1.20
3.20
min
9.90
Si semiconductors
2010.10
值大最 值型典
值大最 值型典
值大最 值型典
值大最 值型典
： 米毫：½单
nom
2.54
值小最
值小最
值小最
值小最
号符
号符
号符
号符
值大最
值大最
值大最
值大最
值型典
值型典
值型典
值型典
值小最
值小最
值小最
值小最
号符
号符
号符
号符
4
