桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM3904(销售型號 MMBT3904)
■
MAXIMUM
RATINGS
最大額定值
Symbol
符號
V
CEO
V
CBO
V
EBO
Ic
Rating
額定值
40
60
6.0
200
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
Collector-Base Voltage
集電極-基極電壓
Emitter-Base Voltage
發射極-基極電壓
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
■
THERMAL CHARACTERISTICS
熱特性
Characteristic
特性參數
Total Device Dissipation
½耗散功率
FR-5 Board(1)
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Total Device Dissipation
½耗散功率
Alumina Substrate,
氧化鋁襯底(2)
T
A
=
25℃環境溫度爲 25℃
Derate above25℃
超過
25℃遞減
Thermal Resistance Junction to Ambient
熱阻
Junction and Storage Temperature
結溫和儲存溫度
■
DEVICE
Symbol
符號
P
D
Max
最大值
225
1.8
Unit
單½
mW
mW/℃
mW
mW/℃
℃/W
P
D
300
2.4
R
Θ
JA
T
J
,
T
stg
417
150℃, -55to+150℃
MARKING
打標
GM3904(MMBT3904)=1AM
GM3904(MMBT3904)=1AM
(MMBT3904)=1
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GM3904(销售型號 MMBT3904)
■
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
電特性
(T
A
=
25
25℃ unless otherwise noted
如無特殊說明，溫度爲
25℃
)
■
OFF
CHARACTERISTICS
截止電特性
Symbol
符號
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
BEX
I
CEX
Min
最小值
40
60
6.0
—
—
Max
最大值
—
—
—
50
50
Unit
單½
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
Characteristic
特性參數
Collector-Emitter Breakdown Voltage(3)
集電極-發射極擊穿電壓(Ic=1.0mAdc,I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(Ic=10μAdc,I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓(I
E
=10μAdc,Ic=0)
Base Cutoff Current
基極截止電流(V
CE
=30Vdc, V
EB
=3.0 Vdc)
Collector Cutoff Current
集電極截止電流(V
CE
=30Vdc, V
EB
=3.0Vdc)
■
ON CHARCTERISTICS(2)
CHARCTERISTICS(2)導通電特性
Characteristic
特性參數
DC Current Gain
直流電流增益
(I
c
=0.1mAdc,V
CE
=1.0Vdc)
(I
c
=1.0mAdc,V
CE
=1.0Vdc)
(I
c
=10mAdc,V
CE
=1.0Vdc)
(I
c
=50mAdc,V
CE
=1.0Vdc)
(I
c
=100mAdc,V
CE
=1.0Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極½和壓降
(I
c
=10mAdc, I
B
=1.0mAdc)
(I
c
=50mAdc, I
B
=5.0mAdc)
Base-Emitter Saturation Voltage
基極發射極½和壓降
(I
c
=10mAdc, I
B
=1.0mAdc)
(I
c
=50mAdc, I
B
=5.0mAdc)
Symbol
符號
h
PE
Min
最小值
40
70
100
60
30
Max
最大值
—
—
300
—
—
Unit
單½
—
V
CE(sat)
—
—
0.25
0.4
Vdc
V
BE(sat)
Vdc
0.65
—
0.85
0.95
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■
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
小信號特性
Characteristic
特性參數
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益-帶寬乘積
(I
c
=10mAdc,V
CE
=-20Vdc,f=100MHz)
Output Capacitance
輸出電容
(V
CB
=5.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
Input Capacitance
輸入電容
(V
EB
=0.5Vdc, I
C
=0, f=1.0MHz)
Input Impedance
輸入阻抗
(V
CE
=10Vdc, I
C
=1.0mAdc, f=1.0KHz)
Voltage Feedback Ratio
電壓反饋係數
(V
CE
=10Vdc, I
C
=1.0mAdc, f=1.0KHz)
Small-Signal Current Gain
小信號電流增益
(V
CE
=10Vdc, I
C
=1.0mAdc, f=1.0KHz)
Output Admittance
輸出導納
(V
CE
=10Vdc, I
C
=1.0mAdc, f=1.0KHz)
Noise Figure
噪声係數
(V
CE
=5.0Vdc, I
C
=100μAdc,Rs=1.0 kΩf=1.0KHz)
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單½
f
T
C
obo
C
ibo
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
300
—
—
1.0
0.5
100
1.0
—
—
4.0
8.0
10
8.0
400
40
5.0
MHz
pF
pF
k
Ω
×10
-4
—
μmhos
dB
■
SWITCHING CHARACTERISTICS
開關特性
Characteristic
特性參數
Delay Time
延遲時間
Rise Time
上升時間
Storage Time
儲存時間
(V
CC
=3.0Vdc,V
BE
=0.5Vdc,
I
C
=10mAdc, I
B1
=1.0mAdc)
Symbol
符號
t
d
t
r
t
s
Min
最小值
—
—
—
—
Max
最大值
35
Unit
單½
ns
35
225
Fall Time
t
f
下降時間
1. FR-5=1.0×0.75×0.062in.
2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.
3. Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
4.
Pulse Test: Pulse Width<300us;Duty Cycle<2.0%.
(V
CC
=3.0Vdc,I
C
=10mAdc,
I
B1
=I
B2
=1.0mAdc)
ns
75
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GM3904(销售型號 MMBT3904)
■
DIMENSION
外½封裝尺寸
