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MMBZ6V8ALT3G

24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码
SOT-23
包装说明
LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
针数
3
制造商包装代码
CASE 318-08
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最大击穿电压
7.14 V
最小击穿电压
6.46 V
击穿电压标称值
6.8 V
最大钳位电压
9.6 V
配置
COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码
TO-236
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
最大非重复峰值反向功率耗散
24 W
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.225 W
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
4.5 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
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器件捷径:
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