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MMFT3055E

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,1.7A I(D),TO-261AA

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code
unknown
外壳连接
DRAIN
配置
Single
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.7 A
最大漏极电流 (ID)
1.7 A
最大漏源导通电阻
0.15 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
4
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.8 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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器件捷径:
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