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MSC2312B-10KS9

描述:
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS,
分类:
存储    存储   
文件大小:
482KB,共10页
制造商:
概述
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS,
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明
, SIP30,.2
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-609代码
e0
内存密度
9437184 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度
9
端子数量
30
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX9
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装等效代码
SIP30,.2
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
座面最大高度
23.241 mm
最大待机电流
0.009 A
最大压摆率
0.54 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距
2.54 mm
端子位置
SINGLE
文档预览
参数对比
与MSC2312B-10KS9相近的元器件有:MSC2312B-80KS9。描述及对比如下:
型号 MSC2312B-10KS9 MSC2312B-80KS9
描述 Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 LAPIS Semiconductor Co Ltd LAPIS Semiconductor Co Ltd
包装说明 , SIP30,.2 , SIP30,.2
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 100 ns 80 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 FAST PAGE DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 9 9
端子数量 30 30
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 1MX9 1MX9
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装等效代码 SIP30,.2 SIP30,.2
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512
座面最大高度 23.241 mm 23.241 mm
最大待机电流 0.009 A 0.009 A
最大压摆率 0.54 mA 0.63 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE
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