与MSC2312B-10KS9相近的元器件有:MSC2312B-80KS9。描述及对比如下:
| 型号 |
MSC2312B-10KS9 |
MSC2312B-80KS9 |
| 描述 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, |
| 是否Rohs认证 |
不符合 |
不符合 |
| 厂商名称 |
LAPIS Semiconductor Co Ltd |
LAPIS Semiconductor Co Ltd |
| 包装说明 |
, SIP30,.2 |
, SIP30,.2 |
| Reach Compliance Code |
unknown |
unknown |
| 最长访问时间 |
100 ns |
80 ns |
| I/O 类型 |
COMMON |
COMMON |
| JESD-609代码 |
e0 |
e0 |
| 内存密度 |
9437184 bit |
9437184 bit |
| 内存集成电路类型 |
FAST PAGE DRAM MODULE |
FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 |
9 |
9 |
| 端子数量 |
30 |
30 |
| 字数 |
1048576 words |
1048576 words |
| 字数代码 |
1000000 |
1000000 |
| 最高工作温度 |
70 °C |
70 °C |
| 组织 |
1MX9 |
1MX9 |
| 输出特性 |
3-STATE |
3-STATE |
| 封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
| 封装等效代码 |
SIP30,.2 |
SIP30,.2 |
| 电源 |
5 V |
5 V |
| 认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
| 刷新周期 |
512 |
512 |
| 座面最大高度 |
23.241 mm |
23.241 mm |
| 最大待机电流 |
0.009 A |
0.009 A |
| 最大压摆率 |
0.54 mA |
0.63 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) |
5 V |
5 V |
| 表面贴装 |
NO |
NO |
| 技术 |
CMOS |
CMOS |
| 温度等级 |
COMMERCIAL |
COMMERCIAL |
| 端子面层 |
Tin/Lead (Sn/Pb) |
Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子节距 |
2.54 mm |
2.54 mm |
| 端子位置 |
SINGLE |
SINGLE |