This version: Mar. 1999
Semiconductor
MSC23CV43257D-xxBS8
4,194,304-word x 32-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
DESCRIPTION
The MSC23CV43257D-xxBS8 is a fully decoded, 4,194,304-word x 32-bit CMOS dynamic random access memory
module composed of eight 16Mb DRAMs (4Mx4) in TSOP packages mounted with eight decoupling capacitors on a
72-pin glass epoxy small outline package. This module supports any application where high density and large
capacity of storage memory are required.
FEATURES
· 4,194,304-word x 32-bit organization
· 72-pin Small Outline Dual In-line Memory module
MSC23CV43257D-xxBS8 : Gold tab
· Single +3.3V supply ± 0.3V tolerance
· Input
: LVTTL compatible
· Output
: LVTTL compatible, 3-state
· Refresh : 2048cycles/32ms
· /CAS before /RAS refresh, hidden refresh, /RAS only refresh capability
· Fast page mode with EDO capability
· Multi-bit test mode capability
· 11/11 Addressing (Row/Column)
PRODUCT FAMILY
Access Time (Max.)
Family
t
RAC
MSC23CV43257D-60BS8
MSC23CV43257D-70BS8
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
Cycle
Time
(Min.)
104ns
124ns
Power Dissipation
Operating (Max.)
Standby (Max.)
2592mW
14.4mW
2304mW
Semiconductor
MSC23CV43257D
MODULE OUTLINE
MSC23CV43257D-xxBS8
(Unit : mm)
3.80Max.
25.4±0.13
3.18±0.13
2.0±0.13
1
2.62Typ.
*1
71
5.5Min.
44.45±0.1
59.69±0.2
1.00±0.1
*1 The common size difference of the board width 19.78mm of its height is specified as ±0.2.
The value above 19.78mm is specified as ±0.5.
R2.0
1.0±0.1
17.78±0.13
0.25 Max.
1.8±0.1
2-φ1.8
3.03
72
2
3.25Typ.
44.45±0.1
51.66±0.1
5.00
R2.0
0.23 Min.
1.27±0.1
Semiconductor
MSC23CV43257D
PIN CONFIGURATION
Front Side
Pin No.
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
Pin Name
V
SS
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
PD1
A1
A3
A5
A10
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
NC
A8
NC
DQ15
Pin No.
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
Pin Name
DQ16
V
SS
/CAS2
/CAS1
NC
/WE
DQ18
DQ20
DQ22
NC
DQ25
DQ27
V
CC
DQ30
NC
PD3
PD5
PD7
Pin No.
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
Back Side
Pin Name
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
V
CC
A0
A2
A4
A6
NC
DQ9
DQ11
DQ13
A7
V
CC
A9
/RAS2
NC
Pin No.
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
Pin Name
DQ17
/CAS0
/CAS3
/RAS0
NC
NC
DQ19
DQ21
DQ23
DQ24
DQ26
DQ28
DQ29
DQ31
PD2
PD4
PD6
V
SS
Presence Detect Pins
Pin No.
11
66
67
68
69
70
71
Pin Name
PD1
PD2
PD3
PD4
PD5
PD6
PD7
-60
NC
NC
V
SS
NC
NC
NC
NC
-70
NC
NC
V
SS
NC
V
SS
NC
NC
Semiconductor
MSC23CV43257D
BLOCK DIAGRAM
A0-A10
/RAS0
/CAS0
/WE
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
/RAS2
/CAS2
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
/CAS1
V
CC
V
SS
C1-C8
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A0-A10
/RAS
/CAS
/WE
V
CC
/CAS3
DQ
DQ
DQ
DQ
/OE
V
SS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
Semiconductor
MSC23CV43257D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Voltage on V
CC
Supply Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
STG
* Ta = 25°C
Rating
-0.5 to +4.6
-0.5 to +4.6
50
8
0 to +70
-40 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Recommended Operating Conditions
( Ta = 0°C to +70°C )
Parameter
Power Supply Voltage
V
SS
Input High Voltage
Input Low Voltage
V
IH
V
IL
0
2.0
-0.3
0
-
-
0
V
CC
+0.3
0.8
V
V
V
Symbol
V
CC
Min.
3.0
Typ.
3.3
Max.
3.6
Unit
V
Capacitance
( V
CC
= 3.3V ± 0.3V, Ta = 25°C, f = 1 MHz )
Parameter
Input Capacitance (A0 - A10)
Input Capacitance (/WE)
Input Capacitance (/RAS0, /RAS2)
Input Capacitance (/CAS0- /CAS3)
I/O Capacitance (DQ0 - DQ31)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
Typ.
-
-
-
-
-
Max.
57
65
35
20
16
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
消费电子