This version: Mar. 6. 2000
Semiconductor
MSC23Q43657D-xxBS9/DS9
4,194,304-word x 36-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
DESCRIPTION
The MSC23Q43657D-xxBS9/DS9 is a 4,194,304-word x 36-bit CMOS dynamic random access memory module
which is composed of eight 16Mb DRAMs (4Mx4) in SOJ packages and one 16Mb DRAM (4/CAS 4Mx4) in SOJ
package mounted with nine decoupling capacitors. This is a 72-pin single in-line memory module. This module
supports any application where high density and large capacity of storage memory are required.
FEATURES
•
4,194,304-word x 36-bit organization
•
72-pin Single In-Line Memory Module
MSC23Q43657D-xxBS9 : Gold tab
MSC23Q43657D-xxDS9 : Solder tab
•
Single 5V power supply, ±10% tolerance
•
Input
: TTL compatible
•
Output : TTL compatible, 3-state
•
Refresh : 2048cycles/32ms
•
Fast page mode with EDO capability
•
/CAS before /RAS refresh, hidden refresh, /RAS only refresh capability
•
Multi-bit test mode capability
PRODUCT FAMILY
Access Time (Max.)
t
RAC
MSC23Q43657D-60BS9/DS9
MSC23Q43657D-70BS9/DS9
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
Cycle Time
(Min.)
104ns
124ns
Power Dissipation (Max.)
Operating
4455mW
3960mW
Standby
49.5mW
Family
1/9
Semiconductor
MSC23Q43657D
MODULE OUTLINE
MSC23Q43657D-xxBS9/DS9
107.95±0.2
*1
101.19Typ.
(Unit : mm)
5.28Max.
3.38Typ.
φ3.18
25.4±0.2
10.16Typ.
6.35Typ.
1
1.27±0.1
R1.57
6.35
95.25
1.04Typ.
72
2.03Typ.
6.35Typ.
+0.1
1.27
−0.08
Note:
1. Tolerance over 12.5mm from board edge is
±0.5.
3.17Min.
2/9
Semiconductor
MSC23Q43657D
PIN CONFIGURATION
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
Presence Detect Pins
Pin No.
67
68
69
70
Pin Name
PD1
PD2
PD3
PD4
-60
V
SS
NC
NC
NC
-70
V
SS
NC
V
SS
NC
Pin Name
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
V
CC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Pin No.
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Pin Name
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
NC
V
CC
A8
A9
NC
/RAS2
DQ26
DQ8
Pin No.
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
Pin Name
DQ17
DQ35
V
SS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
NC
NC
/WE
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
Pin No.
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
Pin Name
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
V
CC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
V
SS
3/9
Semiconductor
MSC23Q43657D
BLOCK DIAGRAM
/RAS0
/RAS
/CAS
D0
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
/CAS0
/RAS
/CAS
D1
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
/CAS1
/RAS
/CAS
D2
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
/RAS
/CAS
D3
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
/RAS
/CAS0
DQ0
/CAS1
D8
DQ1
/CAS2
DQ2
/CAS3
DQ3
/RAS
/CAS
D4
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ8
DQ17
DQ26
DQ35
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
/CAS2
/RAS
/CAS
D5
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
/RAS
/CAS
D6
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
/CAS3
/RAS
/CAS
D7
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ31
DQ32
DQ33
DQ34
/RAS2
A0-A10
/WE
V
CC
V
SS
C0-C8
A0-A10 : D0-D8
/WE : D0-D8
V
CC
: D0-D8
V
SS
& /OE : D0-D8
4/9
Semiconductor
MSC23Q43657D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Voltage on V
CC
Any Pin Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
*
T
OPR
T
STG
*: Ta = 25°C
Rating
−0.5
to V
CC
+
0.5
−0.5
to 7.0
50
9
0 to 70
−40
to 125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Recommended Operating Conditions
(Ta = 0°C to 70°C)
Parameter
Power Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min.
4.5
0
2.4
−0.3
Typ.
5.0
0
Max.
5.5
0
V
CC
+
0.3
0.8
Unit
V
V
V
V
Capacitance
(V
CC
= 5V ±10%, Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Parameter
Input Capacitance (A0 - A10)
Input Capacitance (/WE)
Input Capacitance (/RAS0, /RAS2)
Input Capacitance (/CAS0 - /CAS3)
I/O Capacitance (DQ0 - DQ35)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
I/O
Typ.
Max.
65
73
43
28
16
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
5/9
