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MT16LSD464AG-66CL3

Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Micron Technology

厂商官网:http://www.mdtic.com.tw/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Micron Technology
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM-168
针数
168
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
9 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
83 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
64
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM168
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
29.21 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.032 A
最大压摆率
0.88 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
参数对比
与MT16LSD464AG-66CL3相近的元器件有:MT16LSDT464AG-66CL3、MT8LSD264AG-66CL2、MT8LSDT264AG-66CL2、MT16LSDT464AG-66CL2、MT16LSD464AG-66CL2、MT8LSDT264AG-66CL3、MT8LSD264AG-66CL3。描述及对比如下:
型号 MT16LSD464AG-66CL3 MT16LSDT464AG-66CL3 MT8LSD264AG-66CL2 MT8LSDT264AG-66CL2 MT16LSDT464AG-66CL2 MT16LSD464AG-66CL2 MT8LSDT264AG-66CL3 MT8LSD264AG-66CL3
描述 Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 2MX64, 7.5ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 4MX64, 7.5ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 4MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
包装说明 DIMM-168 DIMM, DIMM168 DIMM, DIMM168 DIMM-168 DIMM-168 DIMM-168 DIMM-168 DIMM-168
针数 168 168 168 168 168 168 168 168
Reach Compliance Code unknown not_compliant not_compliant unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 9 ns 9 ns 9 ns 7.5 ns 7.5 ns 9 ns 9 ns 9 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 83 MHz 83 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 134217728 bit 134217728 bit 268435456 bit 268435456 bit 134217728 bit 134217728 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 64 64 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168 168 168
字数 4194304 words 4194304 words 2097152 words 2097152 words 4194304 words 4194304 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 4000000 4000000 2000000 2000000 4000000 4000000 2000000 2000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4MX64 4MX64 2MX64 2MX64 4MX64 4MX64 2MX64 2MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168 DIMM168
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.032 A 0.032 A 0.016 A 0.016 A 0.032 A 0.032 A 0.016 A 0.016 A
最大压摆率 0.88 mA 0.88 mA 0.72 mA 0.72 mA 0.96 mA 0.96 mA 0.64 mA 0.64 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
厂商名称 Micron Technology - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
湿度敏感等级 1 - 1 1 - 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) 225 - 225 225 - 225 225 225
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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