型号

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关键词

MTP10N10EA16A

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Motorola ( NXP )

厂商官网：https://www.nxp.com

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

100 V

最大漏极电流 (ID)

10 A

最大漏源导通电阻

0.25 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-220AB

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

N-CHANNEL

功耗环境最大值

75 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

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