型号

型号
关键词

MWT-H16-1

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KA Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, DIE-15

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Microwave_Technology_Inc.

下载文档

参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Microwave_Technology_Inc.

零件包装代码

DIE

包装说明

UNCASED CHIP, R-XUUC-N15

针数

Reach Compliance Code

unknown

配置

SINGLE

FET 技术

HIGH ELECTRON MOBILITY

最大反馈电容 (Crss)

0.14 pF

最高频带

KA BAND

JESD-30 代码

R-XUUC-N15

元件数量

端子数量

工作模式

DEPLETION MODE

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

UNCASED CHIP

极性/信道类型

N-CHANNEL

最小功率增益 (Gp)

10 dB

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子形式

NO LEAD

端子位置

UPPER

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管元件材料

GALLIUM ARSENIDE

热门器件

光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式基于M66T旋律发生器的电路图解析一个简单的红外耳机电路基于CA3193的热电偶放大器电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

需要登录后才可以下载。

登录取消