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N08L1618C2AB2-70I

Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42

器件类别:存储    存储   

厂商名称:AMI Semiconductor

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
AMI Semiconductor
包装说明
GREEN, BGA-42
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
70 ns
JESD-30 代码
R-PBGA-B42
JESD-609代码
e1
长度
10 mm
内存密度
8388608 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
42
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)
2.2 V
最小供电电压 (Vsup)
1.65 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.75 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
8 mm
参数对比
与N08L1618C2AB2-70I相近的元器件有:N08L1618C2AB2-85I、N08L1618C2AB-70I、N08L1618C2AB-85I。描述及对比如下:
型号 N08L1618C2AB2-70I N08L1618C2AB2-85I N08L1618C2AB-70I N08L1618C2AB-85I
描述 Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42 Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, GREEN, BGA-42 Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PBGA42, BGA-42 Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA42, BGA-42
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
厂商名称 AMI Semiconductor AMI Semiconductor AMI Semiconductor AMI Semiconductor
包装说明 GREEN, BGA-42 GREEN, BGA-42 BGA-42 BGA-42
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 70 ns 85 ns 70 ns 85 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B42 R-PBGA-B42 R-PBGA-B42 R-PBGA-B42
JESD-609代码 e1 e1 e0 e0
长度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端子数量 42 42 42 42
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.2 V 2.2 V 2.2 V 2.2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V 1.65 V 1.65 V 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 30 30
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm
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S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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