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NDB405BE/L86Z

12A, 50V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
50 V
最大漏极电流 (ID)
12 A
最大漏源导通电阻
0.15 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-263AB
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
40 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
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