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NJVMJD31CRLG

Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件:NJVMJD31CRLG

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
厂商名称
ON Semiconductor(安森美)
制造商包装代码
369C
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
6 weeks
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
端子面层
Tin (Sn)
参数对比
与NJVMJD31CRLG相近的元器件有:NJVMJD32T4G、NJVMJD31T4G。描述及对比如下:
型号 NJVMJD31CRLG NJVMJD32T4G NJVMJD31T4G
描述 Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 100V TR Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
制造商包装代码 369C 369C 369C
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 6 weeks 5 weeks 6 weeks
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn)
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
针数 - 3 3
最大集电极电流 (IC) - 3 A 3 A
配置 - Single Single
最小直流电流增益 (hFE) - 10 10
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) - 15 W 15 W
表面贴装 - YES YES
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称过渡频率 (fT) - 3 MHz 3 MHz
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器件捷径:
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