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NSFM250

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1689292371
零件包装代码
TO-254
包装说明
TO-254, 3 PIN
针数
3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
YTEOL
0
配置
SINGLE
最小漏源击穿电压
200 V
最大漏极电流 (ID)
24 A
最大漏源导通电阻
0.1 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-254AA
JESD-30 代码
S-MSFM-P3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
SQUARE
封装形式
FLANGE MOUNT
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
125 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
TIN LEAD
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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参数对比
与NSFM250相近的元器件有:NSF20920、NSFM450、NSF21011、NSF20504。描述及对比如下:
型号 NSFM250 NSF20920 NSFM450 NSF21011 NSF20504
描述 Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 900V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Objectid 1689292371 1689298461 1689292391 1689298472 1689298406
零件包装代码 TO-254 TO-254 TO-254 TO-254 TO-254
包装说明 TO-254, 3 PIN TO-254, 3 PIN TO-254, 3 PIN TO-254, 3 PIN TO-254, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 200 V 900 V 500 V 1000 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 24 A 5.5 A 13 A 12 A 13 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 2 Ω 0.4 Ω 1.1 Ω 0.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 150 W 125 W 175 W 150 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
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器件捷径:
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