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NTB13N10G

13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Rochester Electronics

厂商官网:https://www.rocelec.com/

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器件:NTB13N10G

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
符合
包装说明
LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
针数
3
制造商包装代码
CASE 418B-04
Reach Compliance Code
unknown
雪崩能效等级(Eas)
85 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
13 A
最大漏源导通电阻
0.165 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
39 A
认证状态
COMMERCIAL
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
参数对比
与NTB13N10G相近的元器件有:NTB13N10T4G、NTB13N10T4、NTB13N10。描述及对比如下:
型号 NTB13N10G NTB13N10T4G NTB13N10T4 NTB13N10
描述 13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3 13A, 100V, 0.165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3
是否无铅 含铅 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合
包装说明 LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 CASE 418B-04, D2PAK-3 CASE 418B-04, D2PAK-3
针数 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 418B-04 CASE 418B-04 CASE 418B-04 CASE 418B-04
Reach Compliance Code unknown unknow unknow unknown
雪崩能效等级(Eas) 85 mJ 85 mJ 85 mJ 85 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 13 A 13 A 13 A 13 A
最大漏源导通电阻 0.165 Ω 0.165 Ω 0.165 Ω 0.165 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED 235 235
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 39 A 39 A 39 A 39 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
湿度敏感等级 1 - 1 1
Base Number Matches 1 1 1 -
厂商名称 - Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
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