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NTE2331

Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NTE

厂商官网:http://www.nteinc.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
NTE
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
HIGH RELIABILITY
外壳连接
ISOLATED
最大集电极电流 (IC)
6 A
集电极-发射极最大电压
800 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)
5
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
60 W
最大功率耗散 (Abs)
60 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
NTE2331
Silicon NPN Transistor
Color TV Horizontal Deflection Output
w
/Damper Diode
Applications:
D
Color TV Horizontal Deflection Output
D
Color Display Horizontal Deflection Output
Features:
D
High Speed (t
f
= 100nsec)
D
High Breakdown Voltage (V
CBO
= 1500V)
D
High Reliability
D
On–Chip Damper Diode
Absolute Maximum Ratings:
(T
A
= +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, V
CBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
Collector–Emitter Voltage, V
CEO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter–Base Voltage, V
EBO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, I
C
Continous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Collector Dissipation (T
C
= +25°C), P
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W
Operating Junction Temperature, T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics:
(T
A
= +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector Cutoff Current
Symbol
I
CES
I
CBO
Collector Sustain Voltage
Emitter Cutoff Current
Saturation Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
Base to Emitter
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Test Conditions
V
CE
= 1500V
V
CB
= 800V
V
EB
= 4V
I
C
= 5A, I
B
= 1.0A
I
C
= 5A, I
B
= 1.0A
Min
800
40
Typ
Max
1.0
10
130
5
1.5
Unit
mA
µA
V
mA
V
V
V
CEO(sus)
I
C
= 100mA, I
B
= 0
Electrical Characteristics (Cont’d):
(T
A
= +25°C unless otherwise specified)
Parameter
DC Current Gain
Symbol
h
FE1
h
FE2
Diode Forward Voltage
Fall Time
V
F
t
f
Test Conditions
V
CE
= 5V, I
C
= 1A
V
CE
= 5V, I
C
= 5A
I
EC
= 6A
I
C
= 4A, I
B1
= 0.8A, I
B2
= 1.6A
Min
8
5
Typ
0.1
Max
10
2
0.3
V
µs
Unit
.221 (5.6)
.123 (3.1)
.134 (3.4) Dia
.630 (16.0)
.315
(8.0)
.866
(22.0)
B
.158 (4.0)
C
E
.804
(20.4)
.215 (5.45)
.040 (1.0)
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