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3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8
厂商官网：https://www.rocelec.com/
器件标准： 
| 型号 | NTHC5513T1 | NTHC5513T1G |
|---|---|---|
| 描述 | 3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | 3.1A, 20V, 0.08ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
| 是否无铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
| 包装说明 | CASE 1206A-03, CHIPFET-8 | LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| 制造商包装代码 | CASE 1206A-03 | CASE 1206A-03 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 20 V | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.1 A | 3.1 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.08 Ω | 0.08 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XDSO-C8 | R-XDSO-C8 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 元件数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 260 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A | 10 A |
| 认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | MATTE TIN |
| 端子形式 | C BEND | C BEND |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
