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NTMFS4C027NT3G

MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：ON Semiconductor(安森美)

厂商官网：http://www.onsemi.cn

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器件：NTMFS4C027NT3G

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
16.4A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
4.8 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
18.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1670pF @ 15V
功率耗散（最大值）
2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线
参数对比
与NTMFS4C027NT3G相近的元器件有：NTMFS4C027NT1G。描述及对比如下：
型号 NTMFS4C027NT3G NTMFS4C027NT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物） MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.4A（Ta），52A（Tc） 16.4A（Ta），52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 4.8 毫欧 @ 18A，10V 4.8 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.1V @ 250µA 2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18.2nC @ 10V 18.2nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1670pF @ 15V 1670pF @ 15V
功率耗散（最大值） 2.51W（Ta），25.5W（Tc） 2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装 表面贴装
供应商器件封装 5-DFN（5x6）（8-SOFL） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳 8-PowerTDFN，5 引线 8-PowerTDFN，5 引线
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