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NZT660A

TRANS PNP 60V 3A SOT223

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:ON Semiconductor(安森美)

厂商官网:http://www.onsemi.cn

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器件:NZT660A

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
ON Semiconductor
是否无铅
不含铅
厂商名称
ON Semiconductor(安森美)
包装说明
SOT-223, 4 PIN
制造商包装代码
318H-01
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
24 weeks
Samacsys Description
ON SEMICONDUCTOR - NZT660A - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 75 MHz, 2 W, -3 A, 25 hFE
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
3 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
250
JESD-30 代码
R-PDSO-G4
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
4
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
PNP
最大功率耗散 (Abs)
2 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
75 MHz
文档预览
6.70
6.20
0.10
C B
B
3.10
2.90
4
A
3.25
1.90
3.70
3.30
6.10
1
2.30
4.60
3
0.84
0.60
1.90
0.95
0.10
C B
2.30
LAND PATTERN RECOMMENDATION
SEE DETAIL A
1.80 MAX
C
0.08
0.10
0.00
C
7.30
6.70
GAGE
PLANE
10°
R0.15±0.05
R0.15±0.05
10° TYP
0.35
0.20
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) DRAWING BASED ON JEDEC REGISTRATION
TO-261C, VARIATION AA.
B) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C) DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS
OR MOLD FLASH. MOLD FLASH OR BURRS
DOES NOT EXCEED 0.10MM.
D) DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ASME Y14.5M-2009.
E) LANDPATTERN NAME: SOT230P700X180-4BN
F) DRAWING FILENAME: MKT-MA04AREV3
0.25
SEATING
PLANE
10°
1.70
0.60 MIN
DETAIL A
SCALE: 2:1
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