OM6N100CSA,OM6N100CSA pdf中文资料,OM6N100CSA引脚图,OM6N100CSA电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与OM6N100CSA相近的元器件有：OM1N100CST、OM5N100CSA、OM1N100CSA、OM3N100CSA。描述及对比如下：

型号	OM6N100CSA	OM1N100CST	OM5N100CSA	OM1N100CSA	OM3N100CSA
描述	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 8.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,	Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 1000V, 5.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	850 mJ	130 mJ	850 mJ	130 mJ	130 mJ
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6 A	0.5 A	5 A	0.5 A	3.5 A
最大漏极电流 (ID)	6 A	0.5 A	5 A	0.5 A	3.5 A
最大漏源导通电阻	2 Ω	8.2 Ω	3 Ω	8 Ω	5.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-257AA	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	130 W	90 W	130 W	90 W	90 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	24 A	14 A	24 A	14 A	14 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	-	1	1	1	-

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大联大世平集团推出基于NXP产品的精度达厘米级的汽车数字钥匙方案

大联大世平集团推出基于NXP产品的精度达厘米级的汽车数字钥匙方案 2023年2月2日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下世平推出基于恩智浦（NXP）NCJ29D5芯片的精度达厘米级的汽车数字钥匙方案。图示1-大联大世平基于NXP产品的精度达厘米级的汽车数字钥匙方案的展示板图 2021年7月，CCC（车联网）联盟发布了汽车数字密钥3.0版规范，...[详细]
科学家研发出磁驱动高速软体机器人：会行走、悬浮、捉苍蝇

据国内媒体报道，《通讯－材料》最新发表了一篇技术研发成果论文，研究人员已成功研发出一种新型的磁驱动高速软体机器人，这种机器人可以行走、游泳、漂浮和捕捉活体苍蝇。这种机器人外形如同纸张，可以做到薄如蝉翼。材料内部被嵌入了微小的磁体，无需电力驱动，可以根据磁场变化进行形状、动作的变化。论文通讯作者Denys Makarov及其团队在论文中展示了磁驱动高速软体机器人的设计原理、材料和制作工艺。他...[详细]
比科奇携多款产品及众多生态伙伴亮相MWC24，共同赋能全球新一代移动通信

5G开放式RAN基带芯片和电信级软件提供商比科奇（Picocom）携多款产品与客户及合作伙伴一同参加了2024年世界移动通信大会（MWC24）。比科奇在此次全球行业盛会上搭建了自有展示区（Picocom Powered Demo Zone），向来自全球的观众展示了比科奇新推出的PC805射频单元系统级芯片（SoC），和基于该芯片和其他比科奇产品、由全球客户和合作伙伴开发的新一代小基站解决方案和...[详细]
三大智能扫地机器人横评，斐纳/小米/iRobot谁更强

随着社会的飞速发展，我国的科技越来越发达，智能家居行业的兴起，每一款智能化产品的出现都能为人们带来很大的福利。其中，智能扫地机器人这一款智能家居产品因其机器是为解决家居清洁问题而生，从数年前一上市便受到了人们的广泛关注。而随着智能技术的进一步发展，智能扫地机器人也从从前的功能单一、体型笨拙发展到了如今的功能多样、性能完善，可以很好的帮助人们做家务，受到了越来越多消费者的爱戴。如今市面上扫地机...[详细]
解读车载USB接口的方方面面

哪有白来的充电方便，都是工程师在幕后想了很多办法。面向未来，不支持USB Type-C接口的汽车不要买。随着便携式电子设备的广泛普及，用户在开车时为自己的设备充电变得越来越频繁。USB供电功能让设备充电变得极为便利。USB的高数据率也让新一代信息娱乐系统支持丰富多样的车载功能，如音频播放、屏幕和应用共享，以及数据连接等等。传统USB Type-A接口已经广泛应用于汽车OEM厂商的各种...[详细]
从全民炼钢到全民半导体晶圆厂与硅晶圆我们是否都需要？

　　当前，中国半导体市场规模已超过北美市场，成为半导体市场规模最大的地区。2016年我国半导体产业实现销售额为6378亿元人民币，实现了14.77%的增长率;我国半导体市场需求规模也从2008年的6896亿元人民币增长至2016年的13859.4亿元。中国半导体市场规模的飞速发展，带来的是强烈的市场需求。预计2018年，我国半导体市场需求规模将达到15940.3亿元人民币。　　巨大的需求带...[详细]
金属管转子流量计的使用说明

1、仪表安装方向安装方向有水平安装、垂直安装两种。水平安装分为左进测出，右进测出。垂直安装分为上进下出，下进上出。 2、用于污脏流体的安装应在仪表上游装过滤器。带有磁性耦合的金属管浮子流量计用于可能含磁铁性杂质流体时，应在仪表前装磁过滤器。要保持浮子和锥管的清洁，特别是小口径仪表，浮子洁净程度明显影响测量值。 3、脉动流的安装流动本身的脉动，如拟装仪表位置的上游有往复泵或调节阀，...[详细]
全是干货！家庭安防系统布线方法解析

一、布线时考虑的问题　　1、信息点数量　　通常情况下，由于主卧室通常有两个主人，所以建议安装两个信息点，以便双方能同时使用计算机。其他卧室和客厅只需安装一个信息点，供孩子或临时变更计算机使用地点时使用。特别是拥有笔记本电脑时，更应当考虑在每个室和厅内都安装一个信息点。餐厅通常不需要安装信息点，因为很少会有人在那里使用计算机。如果小区预留有信息接口，应当布设一条从该接口到集线设备的双绞线...[详细]
一加7 渲染图曝光

集微网消息，日前国外知名产品泄露网站 SlashLeaks 曝出了一加 7 的疑似真机图。从疑似真机图中得悉，一加 7 的“额头”位置将会取消，使得观感上屏占比极高。至于前置摄像头等部件如何放置，SlashLeaks 称一加 7 很有可能将会采用类似 OPPO Find X 的双轨式潜望设计。随后，知名爆料人 Ben Geskin 则根据那张疑似真机图，结合 OPPO Find X ...[详细]
四川省首批新型储能示范项目名单公示

　　2024年3月24日，四川省发展和改革委员会、四川省能源局公示拟纳入四川省首批新型储能示范项目名单，19个项目列为首批新型储能试点示范项目。　　以下为原文四川省发展和改革委员会四川省能源局关于公示拟纳入四川省首批新型储能示范项目名单的通知　　为充分发挥示范引领带动作用，推动新型储能多元化高质量发展，省发展改革委（省能源局）组织开展了新型储能示范项目申报和...[详细]
巨化股份去年净利增长5倍核心业务处国内龙头

4月19日晚间，巨化股份披露年报，2017年实现营收137.68亿元，同比增长36.3%；净利9.35亿元，同比增长518.57%；每股收益0.44元。公司拟每10股转增3股派现1元。报告期，巨化股份专利申请受理35件（其中发明专利20件），截至2017年底，拥有有效专利 75件（其中境外授权4件）。巨化股份在氟化工、氯碱化工等方面积累了一批先进实用的自有技术，“科研-技术储备-生产”三大...[详细]
外媒：谷歌眼镜注定失败的十大理由

TNW的专栏作者、美国著名博主罗伯特·斯考伯（Robert Scoble）发表分析文章称，谷歌眼镜（Google Glass）注定要失败。以下为该文章的主要内容：谷歌眼镜注定要失败，为什么这么说，因为科技媒体已经表明了这点。但先不说这件事，先谈谈从8个月来佩戴谷歌眼镜中所了解到的情况。 1、几乎所有人都想尝试谷歌眼镜，谷歌非常聪明，要我们支付1500美元（购买眼镜）才能当他们的PR（公关...[详细]
51单片机~DS1302时钟，SPI总线原理

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全球TOP20无中国企业国内人工智能专利布局存隐忧

“全球在人工智能专利布局上的前20名，没有一家中国企业。”在日前举行的2018世界智能大会智能科技产业发展CXO论坛圆桌对话环节，北京人工智能专利产业创新中心总经理刘翰伦的话引人深思。他从知识产权角度，给国内人工智能企业来了个现场“把脉”。刘翰伦介绍，前段时间，一家国际组织调研了全球前24家人工智能芯片企业的排名，这些企业中有7家是中国的企业。 “我们把这些企业分成中国企业和国外企业进行比较，...[详细]
功率场效应晶体管MOSFET

1.概述　　　　MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。　　功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semicondu...[详细]