OPA27GPG4,OPA27GPG4 pdf中文资料,OPA27GPG4引脚图,OPA27GPG4电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与OPA27GPG4相近的元器件有：OPA27GP、OPA27GU、OPA27GUE4、OPA27GUG4、OPA37GP、OPA37GPG4、OPA37GU、OPA37GUE4、OPA37GUG4。描述及对比如下：

型号	OPA27GPG4	OPA27GP	OPA27GU	OPA27GUE4	OPA27GUG4	OPA37GP	OPA37GPG4	OPA37GU	OPA37GUE4	OPA37GUG4
描述	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-PDIP -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-PDIP -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-SOIC -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-SOIC -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-SOIC -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-PDIP -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-PDIP -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-SOIC -40 to 85	Ultra-Low Noise Precision Operational Amplifiers 8-SOIC -40 to 85	IC OPAMP GP 63MHZ 8SOIC
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	通用
Brand Name	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	Texas Instruments	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)	-	-
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	DIP	DIP	SOIC	SOIC	-
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP-8	SOIC-8	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	DIP-8	DIP-8	SOIC-8	SOIC-8	-
针数	8	8	8	8	8	8	8	8	8	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compliant	compli	compli	compli	compli	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	-
最大平均偏置电流 (IIB)	0.015 µA	0.008 µA	0.15 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.008 µA	0.015 µA	0.008 µA	0.015 µA	-
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	0.08 µA	-
标称共模抑制比	122 dB	122 dB	122 dB	122 dB	122 dB	122 dB	122 dB	122 dB	122 dB	-
频率补偿	YES	YES	YES	YES	YES	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)	YES (AVCL>=5)	-
最大输入失调电压	2200 µV	100 µV	100 µV	220 µV	220 µV	100 µV	100 µV	100 µV	100 µV	-
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	-
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	e4	-
长度	9.81 mm	9.59 mm	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm	9.81 mm	9.81 mm	4.9 mm	4.9 mm	-
低-失调	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-
负供电电压上限	-22 V	-22 V	-22 V	-22 V	-22 V	-22 V	-22 V	-22 V	-22 V	-
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8	-
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	-
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	DIP	DIP	SOP	SOP	SOP	DIP	DIP	SOP	SOP	-
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25	SOP8,.25	DIP8,.3	DIP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
包装方法	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	TUBE	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260	-
电源	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V	+-15 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	5.08 mm	5.08 mm	1.75 mm	1.75 mm	-
最小摆率	1.7 V/us	1.7 V/us	1.7 V/us	1.7 V/us	1.7 V/us	11 V/us	11 V/us	11 V/us	11 V/us	-
标称压摆率	1.9 V/us	1.9 V/us	1.9 V/us	1.9 V/us	1.9 V/us	11.9 V/us	11.9 V/us	11.9 V/us	11.9 V/us	-
最大压摆率	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	5.7 mA	-
供电电压上限	22 V	22 V	22 V	22 V	22 V	22 V	22 V	22 V	22 V	-
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	-
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	NO	NO	YES	YES	-
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	-
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
标称均一增益带宽	8000 kHz	8000 kHz	8000 kHz	8000 kHz	8000 kHz	63000 kHz	63000 kHz	63000 kHz	63000 kHz	-
最小电压增益	447000	447000	447000	447000	447000	447000	447000	447000	447000	-
宽度	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm	-
是否无铅	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	-
Factory Lead Time	-	1 week	1 week	6 weeks	6 weeks	1 week	6 weeks	1 week	6 weeks	-
最小共模抑制比	-	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB	100 dB	-
最大输入失调电流 (IIO)	-	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	0.00005 µA	-
低-偏置	-	NO	NO	NO	NO	YES	YES	YES	YES	-
微功率	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-
功率	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-
可编程功率	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-
宽带	-	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	-

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BNEF：灵活的能源选择将使电力系统更便宜

　　彭博新能源财经(Bloomberg new energy Finance， BNEF)与伊顿(Eaton)和Statkraft合作发布的两份新报告发现，为了确保能源转型沿着最佳路径进行，需要灵活的能源选择，如能源存储、智能充电电动汽车、需求响应和互联。　　两项针对英国和德国的研究发现，储能、智能充电电动汽车、需求响应和互联代表了四种类型的灵活性，它们可以加速向更清洁...[详细]
努比亚Z18mini发布终于把mini系列升级了全面屏

新浪手机讯 4月11日下午消息，努比亚今日在北京召开发布会，正式发布努比亚Z18mini新机，这款手机采用了18：9的全面屏设计，是努比亚mini系列中第一款全面屏手机。现场实拍图　　努比亚Z18mini采用了5.7英寸的FHD显示屏，由于采用了全面屏设计，其屏占比达到了86.25%。在机身设计上，背部采用的是曲面玻璃设计，视觉感极佳，并且有耀钻黑，冰川白，青瓷蓝，莹玉粉，普罗旺斯（特别...[详细]
从2x2到4x4，在智能手机的天线设计上有哪些挑战

电子网消息，近日在台湾大学举办的 2017 IAET Summer Seminar，Qorvo 以《灵活天线控制系统》“Smart Antenna Control System”为主题，与业内分享在手机领域天线设计的发展趋势及挑战。截至目前，Qorvo 在全球天线开关产品的累计出货量超过100亿，在这一领域的市占率全球第一。我们知道，在下一代智能手机的天线设计需要满足快速变化且非常复...[详细]
工业机器人谨防扎堆低端化

近年来，我国工业机器人产业进入高速增长期，已连续六年成为全球第一大市场，工业机器人正被越来越多的应用于制造业的众多领域。在工业机器人发展一片火热的同时，当前存在的概念炒作、一哄而上、低端竞争等不理性现象也引发各界关注。专家表示，机器人产业作为“制造业皇冠上的明珠”，应积极走自主创新、发展核心技术道路，通过高质量产品和服务来推动智能制造、提升制造业水平，以避免重蹈低价竞争、低水平竞争的覆辙。工...[详细]
设计高性能和高功率密度的车载充电器

电动汽车（EV）正变得越来越普遍，大量的全国和全球激励措施正在使这些车辆对消费者来说更具成本效益。这导致 2023 年电动汽车销量超过 1300 万辆，与 2022 年销量相比，纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的销量增长了 30% 以上。随着碳中和成为全球主题，汽车制造商继续加大对电动汽车的投入。虽然 300 英里的续航里程是电动汽车的基准，但较新的电动汽车...[详细]
Nordic nRF51822 SoC的网状网络平台瞄准物联网应用

Nordic Semiconductor与芬兰坦佩雷理工大学分拆企业Wirepas共同开发的解决方案提供较低总体成本，并且将Wirepas的网状网络 (mesh networking)协议堆栈结合到屡获殊荣的Nordic nRF51822 SoC硬件中挪威奥斯陆 2015 年 1月28日超低功耗(ULP)射频(RF)专业厂商 Nordic Semiconductor...[详细]
诺西领跑印度3G市场：获5家运营商20个电信区域合同

北京时间2月15日凌晨消息（蒋均牧）诺基亚西门子通信公司（下称“ 诺西 ”）东部客户运营负责人阿希什·乔德哈里（Ashish Chowdhary）表示，该公司以30%的市场份额成为印度领先的 3G 移动网络基础设施和专业服务供应商。在2010年下半年的印度3G建设高潮期，诺西获得了Aircel、巴帝电信（Bharti Airtel）、Idea Cellular、塔塔电...[详细]
高通骁龙ChinaJoy：顶级移动技术创新赋能的游戏盛宴

7月29日，“选骁龙，痛快赢”高通骁龙ChinaJoy预赏会在线上举行，高通公司（Qualcomm）联合产业链合作伙伴，为广大游戏玩家和电竞爱好者呈现了一场别开生面的、由顶级移动技术创新赋能的游戏盛宴。移动技术创新推动游戏产业发展玩游戏作为一种娱乐、社交和释放压力的工具，在当今社会中发挥着重要作用。游戏通过塑造统一的目标、体验，将有着共同兴趣、爱好的人们汇聚在一起。与此同时，游戏本身...[详细]
2Gbps传输走向实用化液晶驱动器掀高速化浪潮

　“知名液晶面板厂商已经决定采用，最快将配备于2011年上市的电视机产品上”。　　THine Electronics开发出了在平板电视和个人电脑上用于连接液晶驱动器IC和时序控制器（Timing controller）IC的高速数据传输技术“CalDriCon”（图1）。每1对（1个信号通道）信号线的最大数据传输速度为2Gbit/秒。与目前普遍用于连接液晶驱动器IC和时序控制器IC的最大数据...[详细]
博通610亿美元收购VMware再遇阻英国考虑进行深入调查

据外媒报道，有“收购狂人”之称的陈福阳领导下的博通，已进行了多起收购交易，虽然千亿美元收购高通的交易，最终因被美国否决而未能进行，但他们仍未放弃大规模的收购，在去年5月26日就已宣布同VMware达成了610亿美元的收购协议，并愿意承担后者80亿美元的债务。同其他大规模的收购交易一样，博通这一规模超过600亿美元的收购交易，也面临反垄断监管方面的挑战，去年年底就有消息人士透露，博通610亿美...[详细]
一种基于数字控制的谐振变换器设计

1 引言近年来，LLC谐振变换器由于其简单、高效、软开关等特点得到广泛关注和研究。与传统谐振变换器相比，LLC谐振变换器兼备了串联谐振变换器和并联谐振变换器的优点，其输出调节范围宽，开关损耗小，能在全负载范围内实现ZVS开通。文献主要讨论了LLC谐振变换器的拓扑结构、工作性能和基波建模分析。对于LLC谐振变换器，变频控制是主要的控制方法。通过调节开关管的工作频率，改变变换器的增...[详细]
汽车应用中的新型传感技术

　　汽车设计师不断需要能提供比传统的位置感应技术更高性能和更具灵活性的器件。而且这些器件还要通用，能适应很多种应用。　　　　这种需求就要求在器件内整合传统的接触型传感器技术和非接触传感器技术中所包括的各种最佳设计要素。　　　　随着今天的汽车利用了越来越多的电子和控制系统，工程师面临将这些电子器件集成到汽车内所带来的日益增加的挑战。特别是对于那些用于保证汽车的安全性、降低油耗以及降低辐射...[详细]
4万家酒店曝房卡系统漏洞，任意房卡可复制出万能卡

两位芬兰防病毒软件公司芬氏安全（F-Secure）的研究人员，发现黑客其实只需要随便一张房卡，就能透过复制卡片内的数据，制作一张可以通行所有房间的万用卡片…… 许多新型、中高阶的旅馆为了管理方便，客房大多使用刷卡感应的电子锁，两位芬兰防病毒软件公司芬氏安全（F-Secure）的研究人员，发现黑客其实只需要随便一张房卡，就能透过复制卡片内的数据，制作一张可以通行所有房间的万用卡片，过程中甚至不会留...[详细]
河南电网发展大事记

1952年7月 35千伏峰峰—安阳豫北纱厂变电所35千伏输电线路投运。这是河南省首条投运的电力线路。 1957年1月28日河南第一条110千伏输电线路——110千伏郑州—洛阳—三门峡电网输变电线路建成。 1970年4月25日河南第一条220千伏线路——丹江口水电厂—平顶山输电线路投运。 1981年12月全国第一个500千伏超高压工程——500千伏平顶山—武昌输变电工程投运。1...[详细]
AMD CEO或很快与台积电洽谈3nm和2nm芯片供应合作

通过最新发布的 Zen 4 锐龙 7000 系列 AM5 处理器、以及紧随其后的 Radeon RX 7000 系列 RDNA 3 GPU，AMD 已在其主力产品线中全面拥抱 5nm 制程工艺，但该公司显然不会止步于此。近日有消息称，红队正打算与台积电会面，以商讨未来的 3nm 和 2nm 芯片供应合作。与前两代 Ryzen CPU 和 RDNA GPU 中使用的 7nm 工艺相比，进一...[详细]