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PHB3N60E118

TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:NXP(恩智浦)

厂商官网:https://www.nxp.com

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
NXP(恩智浦)
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)
171 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
600 V
最大漏极电流 (ID)
2.8 A
最大漏源导通电阻
4.4 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSSO-G2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
11 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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参数对比
与PHB3N60E118相近的元器件有:PHP3N60E127。描述及对比如下:
型号 PHB3N60E118 PHP3N60E127
描述 TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power TRANSISTOR 2.8 A, 600 V, 4.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown unknow
其他特性 FAST SWITCHING FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas) 171 mJ 171 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 2.8 A 2.8 A
最大漏源导通电阻 4.4 Ω 4.4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 11 A 11 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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