PN3644D27Z

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Fairchild

厂商官网：http://www.fairchildsemi.com/

器件标准： Rohs认证

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器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Fairchild

包装说明

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最大集电极电流 (IC)

0.8 A

集电极-发射极最大电压

45 V

配置

SINGLE

最小直流电流增益 (hFE)

JEDEC-95代码

TO-92

JESD-30 代码

O-PBCY-T3

JESD-609代码

元件数量

端子数量

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

ROUND

封装形式

CYLINDRICAL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

PNP

最大功率耗散 (Abs)

0.6 W

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

200 MHz

最大关闭时间（toff）

100 ns

最大开启时间（吨）

40 ns

参数对比

与PN3644D27Z相近的元器件有：PN3644J18Z、PN3644D75Z、PN3644D74Z、PN3644J05Z、PN3644D26Z。描述及对比如下：

型号	PN3644D27Z	PN3644J18Z	PN3644D75Z	PN3644D74Z	PN3644J05Z	PN3644D26Z
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild	Fairchild
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A	0.8 A
集电极-发射极最大电压	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	20	20	20	20
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
最大关闭时间（toff）	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
最大开启时间（吨）	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns
JEDEC-95代码	TO-92	-	TO-92	TO-92	-	TO-92