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PSMN013-100PS

Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Nexperia

厂商官网:https://www.nexperia.com

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Nexperia
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
115 mJ
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
67 A
最大漏源导通电阻
0.0139 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
268 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT APPLICABLE
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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