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PZTA64TRL13

Power Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：YAGEO(国巨)

厂商官网：http://www.yageo.com/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

YAGEO(国巨)

包装说明

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

Is Samacsys

外壳连接

COLLECTOR

最大集电极电流 (IC)

0.3 A

集电极-发射极最大电压

30 V

配置

DARLINGTON

最小直流电流增益 (hFE)

20000

JESD-30 代码

R-PDSO-G4

元件数量

端子数量

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

极性/信道类型

PNP

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

晶体管元件材料

SILICON

标称过渡频率 (fT)

125 MHz

VCEsat-Max

1.5 V

Base Number Matches

热门器件

单稳态控制电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析开关电源的基本组成及工作原理 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路基于CA3193的热电偶放大器电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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