型号

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关键词

RF1S22N10SM9A

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Harris

厂商官网：http://www.harris.com/

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

包装说明

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

Is Samacsys

配置

SINGLE

最小漏源击穿电压

100 V

最大漏极电流 (ID)

22 A

最大漏源导通电阻

0.08 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

TO-263AB

JESD-30 代码

R-PSSO-G2

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

极性/信道类型

N-CHANNEL

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子形式

GULL WING

端子位置

SINGLE

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

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