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SD1137BD

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Topaz Semiconductor

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参数预览参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

包装说明

,

Reach Compliance Code

unknown

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-609代码

e0

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

0.3 W

表面贴装

NO

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

Base Number Matches

1

文档预览

参数对比

与SD1137BD相近的元器件有：SD1137CHP、TN0106N3、TN0110N3、TN0110ND、TN0106ND。描述及对比如下：

型号	SD1137BD	SD1137CHP	TN0106N3	TN0110N3	TN0110ND	TN0106ND
描述	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	Transistor,	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
配置	Single	-	Single	Single	Single	Single
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	NO	-	NO	NO	YES	YES

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器件捷径:

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