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SD400BD

high-speed analog N-channel/enhancement-mode dmos fets

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Calogic

厂商官网：http://www.calogic.net/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Calogic
包装说明
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1 A
最大漏极电流 (ID)
0.05 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
0.5 pF
最高频带
ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码
TO-92
JESD-30 代码
O-PBCY-T3
JESD-609代码
e0
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
125 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.3 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
High-Speed Analog
N-Channel/Enhancement-Mode
DMOS FETS
SD400 / SD402
FEATURES
DESCRIPTION
CORPORATION
•
Fast switching . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . t
on
<1ns
•
Low capacitance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . C
rss
0.3 pF (typ)
......... ....
•
Low threshold .Compatible. Input. . . . . . . . . . <1.5V max
CMOS and TTL
•
•
Switch Drivers
•
Video Switches
•
Active Pullups
•
VHF/UHF Amplifiers
APPLICATIONS
The SD400 and SD402 are N-Channel Enhancement Mode
devices processed utilizing Calogic’s proprietary high speed,
low capacitance lateral DMOS technology. These devices are
excellent switch drivers where low threshold offers the
designer the advantage of CMOS and TTL compatibility with
ultra high switching speeds.
ORDERING INFORMATION
Part
SD400BD
SD402BD
XSD400
XSD402
Package
Plastic TO-92
Plastic TO-92
Sorted Chips in Carriers
Sorted Chips in Carriers
Temperature Range
-55
o
C to +125
o
C
-55
o
C to +125
o
C
-55
o
C to +125
o
C
-55
o
C to +125
o
C
PIN CONFIGURATION
SCHEMATIC DIAGRAM
DRAIN
(2)
TO-92
GATE
(3)
SOURCE
(1)
CD1-1
D
S G
7-74
SD400 / SD402
CORPORATION
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= +25
o
C unless otherwise noted)
V
DS
V
GS
V
DG
Drain-Source Voltage
SD400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +30V
SD402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15V
Gate-Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 V
+20 V
Gate-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 V
+20 V
V
SD
I
D
Source-Drain Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3 V
Continuous Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 mA
Power Dissipation (at or below T
C
= +25
o
C) . . 300mW
Linear Derating Factor. . . . . . . . . . . . . . . . 3.0 mW/
o
C
Operating Storage and
Junction Temperature Range . . . . . . -55
o
C to +125
o
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= +25
o
C unless otherwise noted)
SD400
SYMBOL
STATIC
BV
DSS
I
D(OFF)
I
GSS
I
D(ON)
V
GS(th)
V
DS(ON)
r
DS(ON)
V
DS(ON)
r
DS(ON)
DYNAMIC
g
fs
c
iss
c
oss
c
rss
t
d(ON)
t
r
t
(OFF)
Common-Source Forward
Transconductance
Common-Source Input Capacitance
Common-Source Output Capacitance
Common-Source Reverse Transfer
Capacitance
Turn ON Delay Time
Rise Time
Turn OFF Time
8.0
12
4.0
1.8
0.3
0.7
0.8
12
5.0
2.5
0.5
1.0
1.0
8.0
12
4.0
1.8
0.3
0.7
0.8
12
5.0
2.5
0.5
1.0
1.0
ns
V
DD
= 10 V, R
L
= 680
V
G(ON)
= 10 V, R
G
= 51
C
L
= 1.5 pF
pF
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0
f = 1 MHz
mS
I
D
= 20 mA, V
DS
= 10 V
f = 1 KHz Pulse Test
Drain-Source Breakdown Voltage
Drain-Source OFF Leakage Current
Gate-Source Leakage Current
Drain-Source ON Current
Gate-Source Threshold Voltage
Drain-Source ON Voltage
Drain-Source ON Resistance
Drain-Source ON Voltage
Drain-Source ON Resistance
50
0.7
150
150
60
60
100
1.5
250
250
80
80
30
35
1.0
1.0
50
0.7
150
150
60
60
100
1.5
250
250
80
80
15
25
1.0
1.0
V
µA
µA
mA
V
mV
I
D
= 1 mA, V
GS
= 2.4 V
ohms
mV
I
D
= 1 mA, V
GS
= 4.5 V
ohms
I
D
= 1.0µA, V
GS
= 0
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V, V
GS
= 10 V
Pulse Test
I
D
= 1.0
µA,
V
DS
= V
GS
CHARACTERISTICS
MIN
TYP
MAX
MIN
TYP
MAX
SD402
UNIT
TEST CONDITIONS
7-75
查看更多>
参数对比
与SD400BD相近的元器件有：XSD402、XSD400、SD400。描述及对比如下：
型号 SD400BD XSD402 XSD400 SD400
描述 high-speed analog N-channel/enhancement-mode dmos fets high-speed analog N-channel/enhancement-mode dmos fets high-speed analog N-channel/enhancement-mode dmos fets high-speed analog N-channel/enhancement-mode dmos fets
厂商名称 Calogic Calogic Calogic -
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 UNCASED CHIP, S-XUUC-N3 -
Reach Compliance Code compliant compliant compliant -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 30 V 15 V 30 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.1 A 0.1 A 0.1 A -
最大漏极电流 (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
最大反馈电容 (Crss) 0.5 pF 0.5 pF 0.5 pF -
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND -
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 S-XUUC-N3 S-XUUC-N3 -
元件数量 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装形状 ROUND SQUARE SQUARE -
封装形式 CYLINDRICAL UNCASED CHIP UNCASED CHIP -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 NO YES YES -
端子形式 THROUGH-HOLE NO LEAD NO LEAD -
端子位置 BOTTOM UPPER UPPER -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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