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SDF10N100JEASGSN

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Solitron Devices Inc

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参数
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Solitron Devices Inc
包装说明
FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code
unknown
其他特性
HIGH RELIABILITY
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
10 A
最大漏极电流 (ID)
10 A
最大漏源导通电阻
1.2 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-258AA
JESD-30 代码
R-MSFM-P3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
300 W
最大功率耗散 (Abs)
300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
40 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间（toff）
325 ns
最大开启时间（吨）
210 ns
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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