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SDF9140JDASHD1B

Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,

器件类别：分立半导体    晶体管   

厂商名称：Solitron Devices Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Solitron Devices Inc
包装说明
FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
其他特性
CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
100 V
最大漏极电流 (ID)
19 A
最大漏源导通电阻
0.21 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-257
JESD-30 代码
R-MSFM-P3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
功耗环境最大值
100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
76 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间（toff）
200 ns
最大开启时间（吨）
130 ns
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