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SDF9230JABSHU1B

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Solitron Devices Inc

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Solitron Devices Inc

零件包装代码

TO-254Z

包装说明

FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3

针数

3

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

其他特性

CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

200 V

最大漏极电流 (ID)

6.5 A

最大漏源导通电阻

0.8 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

S-MSFM-T3

元件数量

1

端子数量

3

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

METAL

封装形状

SQUARE

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

P-CHANNEL

功耗环境最大值

75 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

26 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

NO

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管元件材料

SILICON

最大关闭时间（toff）

180 ns

最大开启时间（吨）

150 ns

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