首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 晶体管

SDF9N100SXHEZ

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, 3 PIN

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Solitron Devices Inc

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Solitron Devices Inc
零件包装代码
TO-3-3L
包装说明
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数
3
Reach Compliance Code
unknow
外壳连接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
1000 V
最大漏极电流 (ID)
9 A
最大漏源导通电阻
1.4 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
160 pF
JESD-30 代码
O-MBFM-P2
元件数量
1
端子数量
2
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
36 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
PIN/PEG
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管元件材料
SILICON
最大关闭时间(toff)
143 ns
最大开启时间(吨)
62 ns
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消