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SDT8002

Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin,

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Solitron Devices Inc

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Solitron Devices Inc
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)
20 A
集电极-发射极最大电压
60 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
40
JEDEC-95代码
TO-63
JESD-30 代码
O-MUPM-D3
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
METAL
封装形状
ROUND
封装形式
POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
NPN
功耗环境最大值
175 W
最大功率耗散 (Abs)
175 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
SOLDER LUG
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
20 MHz
VCEsat-Max
1 V
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