型号

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关键词

SFH9244

Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 250V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

零件包装代码

TO-3P

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

雪崩能效等级（Eas）

473 mJ

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

250 V

最大漏极电流 (ID)

8.7 A

最大漏源导通电阻

0.8 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

极性/信道类型

P-CHANNEL

最大脉冲漏极电流 (IDM)

35 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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