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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52,
厂商名称：Solitron Devices Inc
下载文档| 型号 | SFNS101 | SFNS061 |
|---|---|---|
| 描述 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52, | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-52, |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Solitron Devices Inc | Solitron Devices Inc |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 1.2 A | 1.2 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 1.2 A | 1.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 2 Ω | 1.5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-52 | TO-52 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 0.315 W | 0.315 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.315 W | 0.315 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |