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SI4804DY-T1

MOSFET 30V 7.5A 2W

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件:SI4804DY-T1

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Vishay(威世)
Reach Compliance Code
compliant
Is Samacsys
N
最大漏极电流 (Abs) (ID)
5.7 A
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码
e0
最高工作温度
150 °C
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
表面贴装
YES
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
参数对比
与SI4804DY-T1相近的元器件有:SI4804DY-T1-E3。描述及对比如下:
型号 SI4804DY-T1 SI4804DY-T1-E3
描述 MOSFET 30V 7.5A 2W MOSFET 30V 7.5A 2W
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant compliant
Is Samacsys N N
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.7 A 5.7 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
Base Number Matches 1 1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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