SI4940DY-T1-E3

MOSFET 40V 5.7A 2.1W

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Vishay(威世)

厂商官网：http://www.vishay.com

器件标准： Rohs认证

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器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Vishay(威世)

零件包装代码

SOIC

包装说明

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

Is Samacsys

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

40 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.2 A

最大漏极电流 (ID)

4.2 A

最大漏源导通电阻

0.036 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码

MS-012AA

JESD-30 代码

R-PDSO-G8

JESD-609代码

湿度敏感等级

元件数量

端子数量

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

2.1 W

表面贴装

YES

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

参数对比

与SI4940DY-T1-E3相近的元器件有：SI4940DY-T1、SI4940DY、SI4940DY-T1-GE3。描述及对比如下：

型号	SI4940DY-T1-E3	SI4940DY-T1	SI4940DY	SI4940DY-T1-GE3
描述	MOSFET 40V 5.7A 2.1W	MOSFET 40V 5.7A 2.1W	MOSFET 40V 5.7A 2.1W	MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4.2 A	4.2 A	4.2 A	4.2 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	2.1 W	2.1 W	2.1 W	2.1 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES
Is Samacsys	N	N	-	N
Base Number Matches	1	1	-	1