漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 6.6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):31W(Tc) 类型:P沟道 P沟道,-30V,-12A,0.020Ω@-10V
器件类别:分立半导体 晶体管
厂商名称:Vishay(威世)
厂商官网:http://www.vishay.com
器件标准:
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器件:SI5419DU-T1-GE3
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