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SI7636DP-T1-GE3

MOSFET 30V 28A 5.2W 4.0mohm @ 10V

器件类别：分立半导体晶体管

厂商名称：Vishay(威世)

厂商官网：http://www.vishay.com

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

不含铅

厂商名称

Vishay(威世)

零件包装代码

SOT

包装说明

SMALL OUTLINE, R-XDSO-C5

针数

8

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

外壳连接

DRAIN

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

17 A

最大漏极电流 (ID)

17 A

最大漏源导通电阻

0.004 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-XDSO-C5

JESD-609代码

e3

湿度敏感等级

1

元件数量

1

端子数量

5

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

260

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

5.2 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

60 A

认证状态

Not Qualified

表面贴装

YES

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

C BEND

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

40

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

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器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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