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TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power
厂商名称：Vishay(威世)
下载文档| 型号 | SIHB16N50CTL-E3 | SIHB16N50CTR-E3 |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power | TRANSISTOR 16 A, 500 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| 零件包装代码 | D2PAK | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 雪崩能效等级（Eas） | 320 mJ | 320 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 500 V | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 16 A | 16 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 16 A | 16 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.38 Ω | 0.38 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 250 W | 250 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 40 A | 40 A |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |