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SLA5072

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 250V, 0.5ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SLA, SIP-15

器件类别:分立半导体    晶体管   

厂商名称:SANKEN

厂商官网:http://www.sanken-ele.co.jp/en/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SANKEN
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T15
针数
15
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
雪崩能效等级(Eas)
55 mJ
配置
COMPLEX
最小漏源击穿电压
250 V
最大漏极电流 (ID)
7 A
最大漏源导通电阻
0.5 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T15
元件数量
6
端子数量
15
工作模式
ENHANCEMENT MODE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
15 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
文档预览
SLA5072
Absolute maximum ratings
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(
pulse
)
E
AS
*
I
AS
P
T
Ratings
250
±20
7
15 (PW≤1ms, Du≤1%)
55
7
N-channel
3-phase DC motor 100V AC direct drive
External dimensions
A
(T
a
=25°C)
•••
SLA (15-pin)
Electrical characteristics
Symbol
V
(BR)DSS
I
GSS
I
DSS
V
TH
Re
(
yfs
)
R
DS(ON)
Ciss
Coss
td
(
on
)
t
r
td
(off)
t
f
V
SD
t
rr
min
250
Specification
typ
max
±100
100
4.0
5.0
400
450
280
20
30
55
75
1.0
75
500
Unit
V
nA
µ
A
V
S
mΩ
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
(T
a
=25°C)
Unit
V
V
A
A
mJ
A
Conditions
I
D
=100
µ
A, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
=10V, I
D
=1mA
V
DS
=10V, I
D
=3.5A
V
GS
=10V, I
D
=3.5A
V
DS
=10V, f=1.0MHz,
V
GS
=0V
I
D
=3.5A,
V
DD
=100V,
R
L
=28.6Ω, V
GS
=10V,
see Fig. 3 on page 16.
I
SD
=7A, V
GS
=0V
I
SD
=3.5A, V
GS
=0V, di/dt=100A/
µ
s
2.0
2.5
θ
j-a
θ
j-c
Tch
Tstg
5 (
Ta=25°C, with all circuits operating, without heatsink
)
W
40 (
Tc=25°C, with all circuits operating, with infinite heatsink
)
25 (
Junction-Air, Ta=25°C, with all circuits operating
)
°C/W
3.125 (
Junction-Case, Tc=25°C, with all circuits operating
)
°C/W
150
°C
–40 to +150
°C
* : V
DD
=25V, L=2mH, I
D
=7A, unclamped, R
G
=50Ω, see Fig. E on page 15.
1.5
sEquivalent
circuit diagram
5
10
12
4
3
2
11
7
6
1
13
15
14
Pins 8,9 : NC
Characteristic curves
I
D
-V
DS
Characteristics (Typical)
6V
I
D
-V
GS
Characteristics (Typical)
7
6
R
DS(ON)
-I
D
Characteristics (Typical)
0.5
7
6
5
10V
(V
DS
=10V)
(V
GS
=10V)
5.5V
0.4
5
(ON)
(Ω)
I
D
(A)
I
D
(A)
4
3
2
1
5V
4
T
C
=–40°C
0.3
3
25°C
R
DS
0.2
4.5V
2
125°C
0.1
1
V
GS
=4V
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
DS
(V)
V
GS
(V)
I
D
(A)
Re
(yfs)
-I
D
Characteristics (Typical)
10
R
DS(ON)
-T
C
Characteristics (Typical)
1.0
Capacitance-V
DS
Characteristics (Typical)
2000
1000
(V
DS
=10V)
I
D
=3.5A
V
GS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
5
°
C
40
=–
5
°
C
2
°
C
T
C
5
12
0.8
500
Ciss
0.6
Capacitance (pF)
Re (yfs) (S)
(ON)
(Ω)
100
50
Coss
R
DS
0.4
1
0.2
10
5
Crss
0.5
0.3
0.05
0
–40
0.1
0.5
1
5
7
0
50
100
150
2
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
T
C
(°C)
V
DS
(V)
I
DR
-V
SD
Characteristics (Typical)
7
6
5
Safe Operating Area (SOA)
20
10
R
5
10
ms
(1
sh
ot)
DS
N
(O
)
P
T
-T
a
Characteristics
40
35
With Silicon Grease
Natural Cooling
All Circuits Operating
(V
GS
=0V)
D
ITE
LIM
I
D
(pulse) max
(T
C
=25°C)
10
0m
s
1m
s
30
W
ith
I
DR
(A)
P
T
(W)
I
D
(A)
4
3
2
25
20
15
10
In
fin
1
0.5
ite
He
at
sin
k
1
0
0
0.1
5
Without Heatsink
0.05
0.5
1.0
1.5
0.03
3
0
5
10
50
100
300
0
50
100
150
V
SD
(V)
V
DS
(V)
T
a
(°C)
94
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