型号
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| 型号 | SPB03N60C3ATMA1 | SPB03N60C3 |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 3.2A D2PAK | MOSFET N-Ch 600V 3.2A D2PAK-2 CoolMOS C3 |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | D2PAK | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE | AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas） | 100 mJ | 100 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3.2 A | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.4 Ω | 1.4 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 9.6 A | 9.6 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
