型号
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| 型号 | SQD50N04_4M5LT4GE3 | SQD50P03-07-T4_GE3 | SQJ464EP-T2_GE3 |
|---|---|---|---|
| 描述 | MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252 | MOSFET -30V Vds 20V Vgs TO-252 | MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L |
| 厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
| 产品种类 | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| 技术 | Si | Si | Si |
| 安装风格 | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TO-252-3 | TO-252-3 | PowerPAK SO-8 |
| 通道数量 | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
| 晶体管极性 | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V | - 30 V | 60 V |
| Id-连续漏极电流 | 50 A | - 50 A | 32 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms | 7 mOhms | 17 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.5 V | - 2.5 V | 1.5 V |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V | 20 V | 20 V |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC | 146 nC | 44 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C | - 55 C | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C | + 175 C | + 175 C |
| Pd-功率耗散 | 136 W | 136 W | 45 W |
| 配置 | Single | Single | Single |
| 通道模式 | Enhancement | Enhancement | Enhancement |
| 资格 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| 系列 | SQ | SQ | SQ |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | 1 P-Channel | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 最小值 | 105 S | 52 S | 60 S |
| 下降时间 | 11 ns | 28 ns | 8.8 ns |
| 上升时间 | 11 ns | 12 ns | 8.9 ns |
| 工厂包装数量 | 1 | 1 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns | 63 ns | 25.4 ns |
| 典型接通延迟时间 | 9 ns | 11 ns | 7.7 ns |
