SSM6K25FE(TE85L)

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),TSOP

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Toshiba(东芝)

包装说明

Reach Compliance Code

unknown

配置

Single

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5 A

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

0.5 W

表面贴装

YES

参数对比

与SSM6K25FE(TE85L)相近的元器件有：SSM6K25FE(TPL3,F)、SSM6K25FE(TPL3)。描述及对比如下：

型号	SSM6K25FE(TE85L)	SSM6K25FE(TPL3,F)	SSM6K25FE(TPL3)
描述	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),TSOP	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),TSOP	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,500MA I(D),TSOP
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
配置	Single	Single	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)	0.5 A	0.5 A	0.5 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W	0.5 W	0.5 W
表面贴装	YES	YES	YES

热门器件

器件捷径:

L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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